Лазерные интерференционные холоэллипсометры для мониторинга двумерных одноосных кристаллов / Laser Interference Holoellipsometers for the Monitoring of Two-Dimension Uniaxial Crystals

Апи М. / Ali, M.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва / RUS Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва
Балашов А. А. / Balaschov, A.A.
Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва / RUS Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва
Вагин В. А. / Vaguine, V.A.
Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва / RUS Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва
Качурин Ю.Ю. / Kachurin, Yu.Yu.
Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва / RUS Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва
Кирьянов А. П. / Kiryanov, A.P.
Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва / RUS Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН, Москва Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва
Шапкарин И. П. / Schapkarin, I.P.
Московский государственный университет дизайна и технологий, Москва / RUS Московский государственный университет дизайна и технологий, Москва
Выпуск в базе РИНЦ
Апи М., Балашов А. А., Вагин В. А., Качурин Ю.Ю., Кирьянов А. П., Шапкарин И. П. Лазерные интерференционные холоэллипсометры для мониторинга двумерных одноосных кристаллов // Физические основы приборостроения. 2012. Т. 1. № 4(5). С. 86–97. DOI: 10.25210/jfop-1204-086097
Ali, M., Balaschov, A.A., Vaguine, V.A., Kachurin, Yu.Yu., Kiryanov, A.P., Schapkarin, I.P. Laser Interference Holoellipsometers for the Monitoring of Two-Dimension Uniaxial Crystals // Physical Bases of Instrumentation. 2012. Vol. 1. No. 4(5). P. 86–97. DOI: 10.25210/jfop-1204-086097

Аннотация: Представлены лазерные интерференционные асимметричные холоэллипсометры с нормальным и наклонным отражением света как основы мониторинга двумерных одноосных кристаллов. По устройству это интерферометры Майкельсона с фазовой и бинарной модуляциями света, позволяющие in situ измерить параметры отраженных двумерным одноосным кристаллом пучков линейно поляризованного света при пороге обнаружения разности фаз 5 1011 рад. Высокое значение порога чувствительности возможно из-за высокой когерентности света, контроля его интенсивности на входе, неизменности азимутов поляризационных элементов и выигрышу Фельжетта.
Abstract: Here are presented the laser interference asymmetric holoellipsometers with a normal and inclined light’s reflection as a basis of the monitoring of two-dimension uniaxial crystals. These devices are the Michelson interferometer with phase and binary light’s modulation which permits to find in situ a set of parameters of the reflected beams with linear polarization from a two-dimension uniaxial crystal and to have 5 10″ rad for a detectable threshold by means of the light’s coherence, control of its input intensity, azimuth’s constancy of polarization devices and Felgette factor.
Ключевые слова: интерферометрия, порог обнаружения, ellipsometry, interferometry, интерферометрия

Литература / References
  1. Конотопов М. В. Тебекин А.В. Концепция стратегии развития производственных технологий // Инновации и инвестиции. 2007. № 1 (9). С. 2-15.
  2. Langereis Е., Heil S. В. S., Knoops Н. С. М., Keuning W., Van de Sandem М. С.М., Kessels W.M.M. In Situ Spectroscopic Ellipsometry as a Versatile Tool for Studying Atomic Layer Deposition // J. Phys.D: Appl.Phys. 2009. Vol. 42. P.19.
  3. ХакенГ. Синергетика. Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах /М.: Мир, 1985.
  4. КиръяноеА.П. Голоэллипсометрия in Situ: основы и применения. М.: МГУДГ, 2003. 13.6 п.л.
  5. Валиее К.А., Великое Л.В., Кирьянов А.П., Ляшенко Е. П. Метрологические методики абсорбционной и люминесцентно-эмиссионной спектрометрической автоматизированной диагностики материалов и структур микро- и нано-электроники // Труды ФТИАН. Т. 15 «Ионно-лучевая обработка материалов в микро- и наноэлектронике». М.: Нау- ка, 1999. 170с.
  6. АззамР, БашараН. Эллипсометрия и поляризо- ванный свет. М.: Мир, 1981.
  7. Али М., Качурин Ю.Ю., Киръяное А.П., Рыжова А., Шапкарин И.П. Интерференционная холоэллипсометрия in Situ Прозрачного двумерного одноосного кристалла при нормальном отражении лазерного излучения // Вестник РУДН. 2012. № 1. С. 84-91.
  8. Kovalev, V.I., Rukovischnikov, A.I., Rossukanyi, N.M., Perov, P.I. New High Precion and High Speed Automatic Ellipsometer with Polarization Switching for in Situ Control in Semiconductor Device Technologies // Physics of Semiconductor Devices. New Delhi: Tata McGraw-Hill. 1991. P. 244-249.
  9. КарташёвА.А., Эцин И. Ш. Методы измерения ма- лых изменений разности фаз в интерференционных устройствах // УФН, 1975. Т. 106. С. 687-781.
  10. Белл В.Дж. Введение в Фурье-спектроскопию. М.: Мир, 1975.
  11. https//www.cvimellesguiot/products/ stainless-steel-crb-motor-standart.