Электрофизические характеристики монокристаллов |CdTe| и |CdZnTe| для неохлаждаемых полупроводниковых детекторов ядерного излучения / Electrophysical Characteristics of CdTe and CdZnTe Monocrystals for Uncooled Semiconductor Radiation Detectors

Газизов И. М. / Gazizov, I.M.
Институт физико-технических проблем / RUS Институт физико-технических проблем
Каплунов И. А. / Kaplunov, I.A.
Тверской государственный университет / RUS Тверской государственный университет
Никифорова А. Н. / Nikiforova, A.N.
Институт физико-технических проблем / RUS Институт физико-технических проблем
Ольнев А. А. / Olnev, A.A.
Институт физико-технических проблем / RUS Институт физико-технических проблем
Смирнов А. А. / Smirnov, A.A.
Институт физико-технических проблем; Тверской государственный университет / RUS Институт физико-технических проблем; Тверской государственный университет
Выпуск в базе РИНЦ
Газизов И. М., Каплунов И. А., Никифорова А. Н., Ольнев А. А., Смирнов А. А. Электрофизические характеристики монокристаллов |CdTe| и |CdZnTe| для неохлаждаемых полупроводниковых детекторов ядерного излучения // Физические основы приборостроения. 2017. Т. 6. № 4(26). С. 62–67. DOI: 10.25210/jfop-1704-062067
Gazizov, I.M., Kaplunov, I.A., Nikiforova, A.N., Olnev, A.A., Smirnov, A.A. Electrophysical Characteristics of CdTe and CdZnTe Monocrystals for Uncooled Semiconductor Radiation Detectors // Physical Bases of Instrumentation. 2017. Vol. 6. No. 4(26). P. 62–67. DOI: 10.25210/jfop-1704-062067

Аннотация: Приведены результаты измерения параметров пере- носа неравновесных носителей заряда в широкозонных полупроводниках |CdTe| и |CdZnTe|. Измерения выпол- нены для оценки перспектив использования отече- ственных материалов для неохлаждаемых полупрово- дниковых детекторов ядерного излучения. Получен- ные данные показывают, что уровень технологии роста кристаллов в настоящее время позволяет создавать детектирующие структуры для спектрометрии гамма- излучения, радиационной безопасности и дозиметрии.
Abstract: Results of measurement of transport parameters of non- equilibrium charge carriers in wide-bandgap semiconductors (|CdZnTe|) are presented. The measurements were performed to assess the prospects for using domestic materials for uncooled semiconductor nuclear radiation detectors. The obtained data show that the technology of crystal growth allows creating detection structures for gamma-ray spectrometry, radiation safety and dosimetry.
Ключевые слова: теллурид кадмия, широкозонные полупроводники, детектирующие структуры, гамма-спектрометры, CdTe, CdZnTe, semiconductor detectors, cadmium(zinc) telluride, wide-bandgap semiconductors, detecting structures, gamma-ray spectrometers, CdTe, теллурид кадмия

Литература / References
  1. Акимов Ю. К. Полупроводниковые детекторы ядерных излучений. Дубна: ОИЯИ, 2009. 277 c.
  2. Залетин В. М. Разработки полупроводниковых детекторов на широкозонных материалах // Атомная энергия. 2004. Т. 97. Вып. 5. C. 362-370.
  3. K. Hecht. Zeits. For the mechanism of the photoelectric primary current in insulating crystals // Phys. 1932. Vol. 77. P. 235-245.
  4. Ramo, S. Currents induced by electron motion // Proceedings IRE. 1939. P. 584-585.
  5. Springer Handbook of Crystal Growth / G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, M. Dudley (Eds.). Heidelberg-London-New York: Springer. 2010. P. 286-292.
  6. Physics Reference Manual. Geant4. Ver. 9.6.0 (30th November, 2012).