Моисеенко Е. В. / Moiseenko, E.V.
Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН, Москва / RUS Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН, Москва
Шепелев А. В. / Shepelev, A.V.
Российский государственный университет нефти и газа им. И. М. Губкина, Москва / RUS Российский государственный университет нефти и газа им. И. М. Губкина, Москва
Выпуск в базе РИНЦ
Моисеенко Е. В., Шепелев А. В. Изменение оптических характеристик полупроводников в терагерцовом диапазоне под действием электрического поля // Физические основы приборостроения. 2013. Т. 2. № 2(7). С. 56–61. DOI: 10.25210/jfop-1302-056061
Moiseenko, E.V., Shepelev, A.V. Behaviour of Optical Properties of Semiconductors in Electric Field at Terahertz Frequencies // Physical Bases of Instrumentation. 2013. Vol. 2. No. 2(7). P. 56–61. DOI: 10.25210/jfop-1302-056061

Аннотация: Исследовано влияние внешнего электрического поля на оптические характеристики полупроводников в терагерцовом диапазоне. С учетом всех процессов рассеяния и релаксации носителей заряда рассчитаны коэффициенты отражения и пропускания в зависимости от поля, температуры и концентрации носителей.
Abstract: An influence of an external electric field on optical properties of semiconductors in THz range is studied. The dependencies of reflection and transmission coefficients on the external field, semiconductor temperature and carriers concentration are obtained with consideration of all charge carriers scattering and relaxation mechanisms.
Ключевые слова: полупроводники, электрическое поле, THz radiation, semiconductors, полупроводники