Интегральные граничные условия для потоков носителей заряда в тонком плоскопараллельном слое / Integrated Boundary Conditions for Charge Carriers Flows in a Thin Plane-Parallel Layer

Керими М.Б. / Kerimi, M. B.
Технологический центр АН Туркменистана / Technological Center of Turkmenistan Academy of Science
Выпуск в базе РИНЦ
DOI: 10.25210/jfop-1503-046057

Керими М.Б. Интегральные граничные условия для потоков носителей заряда в тонком плоскопараллельном слое // Физические основы приборостроения. 2015. Т. 4. № 3(16). С. 46–57.
Kerimi, M. B. Integrated Boundary Conditions for Charge Carriers Flows in a Thin Plane-Parallel Layer // Physical Bases of Instrumentation. 2015. Vol. 4. No. 3(16). P. 46–57.


Аннотация: Рассмотрены физические основы и математическое описание распространения дифференциальных потоков носителей заряда в тонких плоскопараллельных слоях твердотельных структур. Обоснован интегральный вид граничных условий к кинетическому уравнению в приближении времени релаксации для слоя твердотельной структуры. Показаны пределы корректности этого описания.

Abstract: Physical principles and the mathematical description of charge carriers differential flows distribution in thin plane-parallel solid-state structure’s layers are viewed. The integrated view of boundary conditions to the kinetic equation in relaxation time approach for a solid-state structure layer is proved. Limits of this description correctness of are shown.

Ключевые слова: гомогенность, дифференциальный поток, носители заряда, рассеяние. граничные условия, кинетическая теория, layer boundary, homogeneity, differential flow, charge carriers, scattering. boundary conditions, гомогенность


Литература / References
  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. М.: Мир. 1984. 456 с.
  2. Божков В. Г., Торхов Н. А., Ивонин И. В., Новиков В. А. Исследование свойствповерхностиарсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой спектроскопии // ФТП. 2008. T. 42. Вып. 5. С. 546-554.
  3. Торхов Н. А., Новиков В. А. Фрактальная геометрия поверхностного потенциала электрохимически осажденных пленок платины и палладия // ФТП. 2009. Т. 43. Вып.8. С. 1109-1117.
  4. Середин П. В., Гордиенко Н. Н., Глотов А. В., Журбина И. А., Домашевская Э. П., Арсентьев И. Н., Шишков М. В. Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GaInP: Dy/Por-GaAs/Gaas (100) // ФТП. 2009. T.43. Вып.8. С. 1137-1142.
  5. Конников С. Г., Гуткин А. А., Заморянская М. В., Попова Т. Б., Ситникова А. А., Шахмин А. А., Яговкина М. А. Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями // ФТП. 2009. T. 43. Вып.9. С. 1280-1287.
  6. Мизеров А. М., Жмерик В. Н., Кайбышев В. К., Комиссарова Т. А., Масалов С. А., Иванов С. В. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001Ї) при использовании различных способов активации азота // ФТП. 2009. T. 43. Вып. 8. С. 1096-1101.
  7. Путято М. А., Болховитянов Ю. Б., Василенко А. П., Гутаковский А. К. Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода // ФТП. 2009. Т. 43. Вып.9. С. 1275-1279.
  8. Панин А. В., Шугуров А. Р., Ивонин И. В., Шестериков Е. В. Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 1. С. 118-126.
  9. Алексеев А. Н., Красовицкий Д. М., Петров С. И., Чалый В. П. Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 11. С. 1460-1462.
  10. Ming-Yang Li, Yumeng Shi, Chia-Chin Cheng, Li-Syuan Lu, Yung-Chang Lin, Hao-Lin Tang, Meng-Lin Tsai, Chih-Wei Chu, Kung-Hwa Wei, Jr-Hau He, Wen-Hao Chang, Kazu Suenaga, Lain-Jong Li. Epitaxial Growth of a Monolayer WSe2-MoS2 Lateral p-n Junction with an Atomically Sharp Interface // Science 31 July 2015. Vol. 349. No. 6247. P. 524-528. DOI: 10.1126/Science.Aab4097
  11. Аскеров Б. М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука. 1985. 310 с.
  12. Гантмахер В. Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука. 1984.
  13. Занавескин М. Л. Атомно-силовая микроскопия в исследовании шероховатости наноструктурированных поверхностей. Автореферат кандидатской диссертации. Москва. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН.
  14. Соболев В. В. Перенос лучистой энергии в атмосферах звезд и планет. М.: ГИТТЛ. 1956. 392c.
  15. Kerimi, M. B. The Solution of the Kinetic Equation with Integrated Boundary Conditions for a Plane-Parallel Layer of Solid- State Structure. European Science and Technology // 7th International Scientific Conference. Munich, April 23-24 th, 2014. Materials of the Conference. Vol. II. P. 473-482.
  16. Kerimi, M. B. Charge Carriers Flux Losses at Boundary of Two-Layer Structure // the Development of Science in the 21st Century: Natural and Technical Sciences. The Collection of Scientific Papers, Ron Bee & Associates, New York. 2015, pp.68-76, DOI: 10.17809/06 (2015) 09. http://archiv.gpscience.org/wp-content/uploads/2015/05/0415_ny68-76.pdf
  17. Лесовик Г.Б., Садовский И.А. Описание квантового электронного транспорта с помощью матриц рассеяния // УФН. 2011. Т. 181. № 10, С. 1041-1096.
  18. Керими М. Б. Рекомбинация носителей заряда на границе плоскопараллельных слоев твердотельной структуры // Научно-технический журнал Ферганского Политинститута, специальный выпуск (Материалы международной конференции). 2014. С. 22-26.
  19. Керими М. Б., Сидняев Н. И. Распространение тепла в тонком плоскопараллельном слое // Межународная туркмено-турецкая научно-практическая конференция. Ашхабад, 2013.
  20. Керими М. Б. Граничные условия для потоков в тонких плоскопараллельных слоях // Тезисы докладов международной конференции Туркменистан, Ашхабад. 12-14 июня 2015. С. 115-116.